


SIDR5802EP-T1-RE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIDR5802EP-T1-RE3 |
Descrição | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIDR5802EP-T1-RE3 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3020 pF @ 40 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 7,5W (Ta), 150W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V | Invólucro do dispositivo fornecido SO-8DC PowerPAK® |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9mOhm a 20A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,10000 | $ 4,10 |
| 10 | $ 2,68400 | $ 26,84 |
| 100 | $ 1,88190 | $ 188,19 |
| 500 | $ 1,56182 | $ 780,91 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 1,28962 | $ 3.868,86 |
| 6.000 | $ 1,27600 | $ 7.656,00 |










