
SIA445EDJ-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIA445EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIA445EDJ-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 13 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 20 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIA445EDJ-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 16,5mOhm a 7A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2130 pF @ 10 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SC-70-6 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,01000 | $ 1,01 |
| 10 | $ 0,62900 | $ 6,29 |
| 100 | $ 0,41020 | $ 41,02 |
| 500 | $ 0,31624 | $ 158,12 |
| 1.000 | $ 0,28596 | $ 285,96 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,24748 | $ 742,44 |
| 6.000 | $ 0,22810 | $ 1.368,60 |
| 9.000 | $ 0,21823 | $ 1.964,07 |
| 15.000 | $ 0,20714 | $ 3.107,10 |
| 21.000 | $ 0,20250 | $ 4.252,50 |










