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SI4900DY-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
Equivalente paramétrico
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SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4900DY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 58mOhm a 4,3A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20nC a 10V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 665pF a 15V |
Part Status Obsoleto | Potência - Máx. 3,1W |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Característica FET Porta de nível lógico | Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V | Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,3A | Número base de produto |
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Substitutos (7)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | $ 1,91000 | Equivalente paramétrico |
| AO4828 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1062-2-ND | $ 0,25660 | Similar |
| FW297-TL-2W | Flip Electronics | 1.778 | 2832-FW297-TL-2WTR-ND | $ 0,23000 | Similar |
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | 4.288 | SH8K32GZETBCT-ND | $ 2,45000 | Similar |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 7.038 | 497-3226-1-ND | $ 2,93000 | Similar |
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