
SI3127DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI3127DV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI3127DV-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 60 V 3,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI3127DV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 89mOhm a 1,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 833 pF @ 20 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 6-TSOP | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,73000 | $ 0,73 |
| 10 | $ 0,45400 | $ 4,54 |
| 100 | $ 0,29250 | $ 29,25 |
| 500 | $ 0,22264 | $ 111,32 |
| 1.000 | $ 0,20010 | $ 200,10 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,17144 | $ 514,32 |
| 6.000 | $ 0,15701 | $ 942,06 |
| 9.000 | $ 0,14965 | $ 1.346,85 |
| 15.000 | $ 0,14138 | $ 2.120,70 |
| 21.000 | $ 0,13649 | $ 2.866,29 |
| 30.000 | $ 0,13173 | $ 3.951,90 |
| 75.000 | $ 0,13000 | $ 9.750,00 |











