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SI3127DV-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI3127DV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI3127DV-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 63 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 60 V 3,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI3127DV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 89mOhm a 1,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 833 pF @ 20 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 6-TSOP | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,78000 | $ 0,78 |
| 10 | $ 0,48600 | $ 4,86 |
| 100 | $ 0,31300 | $ 31,30 |
| 500 | $ 0,23822 | $ 119,11 |
| 1.000 | $ 0,21410 | $ 214,10 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,18344 | $ 550,32 |
| 6.000 | $ 0,16800 | $ 1.008,00 |
| 9.000 | $ 0,16012 | $ 1.441,08 |
| 15.000 | $ 0,15128 | $ 2.269,20 |
| 21.000 | $ 0,14604 | $ 3.066,84 |
| 30.000 | $ 0,14095 | $ 4.228,50 |













