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SI2323DS-T1-E3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI2323DS-T1-E3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI2323DS-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2323DS-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2323DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI2323DS-T1-E3 |
Descrição | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 20 V 3,7A (Ta) 750mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI2323DS-T1-E3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 39mOhm a 4,7A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1020 pF @ 10 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-23-3 (TO-236) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
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