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SI2308BDS-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
Direct
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SI2308BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI2308BDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2308BDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2308BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI2308BDS-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 60 V 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236) |
Modelos EDA / CAD | SI2308BDS-T1-GE3 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 190 pF @ 30 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V | Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 156mOhm a 1,9A, 10V |
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Substitutos (5)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2308BDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 10 | 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND | $ 0,87000 | Direct |
| SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 29.650 | SI2308CDS-T1-GE3CT-ND | $ 0,55000 | Recomendado pelo fabricante |
| AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 726.390 | 785-1015-1-ND | $ 0,62000 | Similar |
| NTR5198NLT1G | onsemi | 41.348 | NTR5198NLT1GOSCT-ND | $ 0,45000 | Similar |
| PJA3460_R1_00001 | Panjit International Inc. | 24.859 | 3757-PJA3460_R1_00001CT-ND | $ 0,32000 | Similar |
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