Name: XSM6K376NW,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XSM6K376NWLXHFTR-ND
Price: 0.33 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

Canal N 30 V 4A (Ta) 1,51W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN2020B

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XSM6K376NW,LXHF
Número de produto da DigiKey	264-XSM6K376NWLXHFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XSM6K376NWLXHFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XSM6K376NWLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XSM6K376NW,LXHF
Descrição	N-CH MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056O
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 4A (Ta) 1,51W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN2020B
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 56mOhm a 2A, 4,5V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 1mA
Séries U-MOSVII-H	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 2.2 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +12V, -8V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 200 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,51W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido DFN2020B
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Pacote / Invólucro 6-UDFN pad exposto