Name: XSM6J372NW,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XSM6J372NWLXHFTR-ND
Price: 0.38 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

Canal P 30 V 6A (Ta) 1,51W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN2020B

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XSM6J372NW,LXHF
Número de produto da DigiKey	264-XSM6J372NWLXHFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XSM6J372NWLXHFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XSM6J372NWLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XSM6J372NW,LXHF
Descrição	P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 6A (Ta) 1,51W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN2020B
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 42mOhm a 4A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 1,2V a 1mA
Séries U-MOSVI	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -12V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 560 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 1,51W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido DFN2020B
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 10V	Pacote / Invólucro 6-UDFN pad exposto