Name: TK5A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK5A60WS4VX-ND
Price: 2.76 USD
Availability: OutOfStock

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TK5A60W,S4VX
Número de produto da DigiKey	TK5A60WS4VX-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK5A60W,S4VX
Descrição	MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 5,4A (Ta) 30W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK5A60W,S4VX Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	900mOhm a 2,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,7V a 270µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	380 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK5A60

TK5A60W,S4VX