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TK4P55D(T6RSS-Q) | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | TK4P55D(T6RSS-Q)-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | TK4P55D(T6RSS-Q) |
Descrição | MOSFET N-CH 550V 4A DPAK |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 550 V 4A (Ta) 80W (Tc) Montagem em superfície DPAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | TK4P55D(T6RSS-Q) Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 550 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 1,88Ohm a 2A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 490 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 80W (Tc) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | DPAK | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |







