Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 7.87 USD
Availability: OutOfStock

Preciso de ajuda?

Comentários

Sobre a DigiKey Marketplace Venda na DigiKey.com Mapa do site Soluções digitais Sala de imprensa

Ajuda e suporte Situação do pedido Opções/taxas de frete Devoluções e problemas de pedido

218-681-7979 orders@digikey.com

TK28N65W,S1F
Número de produto da DigiKey	TK28N65WS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK28N65W,S1F
Descrição	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 27,6A (Ta) 230W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK28N65W,S1F Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27,6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 13,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 1,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3000 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	230W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	TK28N65

TK28N65W,S1F