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SIHG33N65E-GE3 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
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SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHG33N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHG33N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 25 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 32,4A (Tc) 313W (Tc) Furo passante TO-247AC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 105mOhm a 16,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 173 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4040 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 313W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-247AC | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Disponível para pedido
Verifique o tempo de espera
Este produto não é mantido em estoque na DigiKey. O tempo de espera mostrado se refere a remessa do fabricante até a DigiKey. Após receber o produto, a DigiKey o enviará para atender aos pedidos em aberto.
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 500 | $ 4,62558 | $ 2.312,79 |
Brasil