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SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHG33N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHG33N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 32,4A (Tc) 313W (Tc) Furo passante TO-247AC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 173 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4040 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 313W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247AC |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 105mOhm a 16,5A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (10)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT38N60BC6-ND | $ 6,50000 | Similar |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | $ 7,48000 | Similar |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 374 | IPW60R099P6XKSA1-ND | $ 5,85000 | Similar |
| IXTH32N65X | IXYS | 0 | IXTH32N65X-ND | $ 6,34300 | Similar |
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 482 | 448-SPW32N50C3FKSA1-ND | $ 9,53000 | Similar |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 500 | $ 3,43000 | $ 1.715,00 |
