Name: TK17N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17N65WS1F-ND
Price: 5.48 USD
Availability: OutOfStock

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TK17N65W,S1F
Número de produto da DigiKey	TK17N65WS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK17N65W,S1F
Descrição	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 17,3A (Ta) 165W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK17N65W,S1F Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	200mOhm a 8,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 900µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1800 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	165W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	TK17N65

TK17N65W,S1F