Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHG21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHG21N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHG21N65EF-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 28 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Furo passante TO-247AC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHG21N65EF-GE3 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 106 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2322 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 208W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247AC |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 158 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | $ 4,34000 | Similar |
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | 702 | IPW60R190P6FKSA1-ND | $ 4,16000 | Similar |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5.060 | 238-IXFH22N65X2-ND | $ 8,27000 | Similar |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | $ 4,63200 | Similar |
| IXFH30N60X | IXYS | 0 | IXFH30N60X-ND | $ 4,24337 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 500 | $ 2,97220 | $ 1.486,10 |








