Name: TK160F10N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK160F10N1LLXGQTR-ND
Price: 4.66 USD
Availability: InStock

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TK160F10N1L,LXGQ
Número de produto da DigiKey	264-TK160F10N1LLXGQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK160F10N1LLXGQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK160F10N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK160F10N1L,LXGQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-220SM(W)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK160F10N1L,LXGQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	160A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,4mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10100 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SM(W)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	TK160F10