Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 18.53 USD
Availability: InStock

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SCTW60N120G2
Número de produto da DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTW60N120G2
Descrição	DISCRETE
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 60A (Tc) 389W (Tc) Furo passante HiP247™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTW60N120G2 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1969 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	389W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 200°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	HiP247™
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	SCTW60