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Ficha técnica
SCT2xxxNYTB
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SCT2xxxNYTB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2750NYTB

Número de produto da DigiKey
SCT2750NYTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
SCT2750NYTBCT-ND - Fita cortada (CT)
SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SCT2750NYTB
Descrição
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1700 V 5,9A (Tc) 57W (Tc) Montagem em superfície TO-268
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
975mOhm a 1,7A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 630µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
275 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-268
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Obsoleto
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