Name: RS6L120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L120BGTB1TR-ND
Price: 4.68 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS6L120BGTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS6L120BGTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS6L120BGTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS6L120BGTB1
Descrição	NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 51 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3520 pF @ 30 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 120A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,7mOhm a 90A, 10V