Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 0.9 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS1G120MNTB
Número de produto da DigiKey	RS1G120MNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RS1G120MNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1G120MNTB
Descrição	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS1G120MNTB Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9.4 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 570 pF @ 20 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 16,2mOhm a 12A, 10V	Número base de produto RS1G