Name: RQ5E025SPTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ5E025SPTLTR-ND
Price: 0.89 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ5E025SPTL
Número de produto da DigiKey	RQ5E025SPTLTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ5E025SPTLCT-ND - Fita cortada (CT) RQ5E025SPTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ5E025SPTL
Descrição	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 2,5A (Ta) 700mW (Ta) Montagem em superfície TSMT3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ5E025SPTL Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	98mOhm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	460 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSMT3
Pacote / Invólucro	SC-96
Número base de produto	RQ5E025