Name: RF9P120BLFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BLFRATCRTR-ND
Price: 1.56 USD
Availability: InStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RF9P120BLFRATCR
Número de produto da DigiKey	846-RF9P120BLFRATCRTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RF9P120BLFRATCRCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RF9P120BLFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RF9P120BLFRATCR
Descrição	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montagem em superfície DFN2020Y7LSAA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	61mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 843µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	360 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	23W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DFN2020Y7LSAA
Pacote / Invólucro	6-UDFN pad exposto