Canal N 600 V 11A (Tc) 53W (Tc) Furo passante TO-220FM
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

R6011KNX

Número de produto da DigiKey
R6011KNX-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
R6011KNX
Descrição
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 11A (Tc) 53W (Tc) Furo passante TO-220FM
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
R6011KNX Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
390mOhm a 3,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
740 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
53W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220FM
Pacote / Invólucro
Pacote completo TO-220-3
Número base de produto
R6011
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Quantidade
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,70000$ 2,70
10$ 1,74000$ 17,40
100$ 1,19510$ 119,51
500$ 0,96200$ 481,00
1.000$ 0,88707$ 887,07
2.000$ 0,82409$ 1.648,18
5.000$ 0,79125$ 3.956,25
Embalagem padrão do fabricante