BSM600D12P3G001 está obsoleto e não é mais fabricado.
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Rohm Semiconductor
Em estoque: 8
Preço unitário : $ 1.175,53000
Ficha técnica
BSM600D12P3G001
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

Número de produto da DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
BSM600D12P3G001
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Obsoleto
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
600A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx.) para Id
5,6V a 182mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
31000pF a 10V
Potência - Máx.
2450W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
Módulo
Número base de produto
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