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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
BSM600D12P4G103 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 846-BSM600D12P4G103-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | BSM600D12P4G103 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1,78kW (Tc) Montagem em chassis Módulo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
Séries | - | |
Embalagem | Caixa | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 567A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,8V a 291,2mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | - | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 59000pF a 10V | |
Potência - Máx. | 1,78kW (Tc) | |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | Módulo | |
Número base de produto |
Em estoque: 8
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Caixa
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1.175,53000 | $ 1.175,53 |
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