NXH50C120L2C2ES1G onsemi | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NXH50C120L2C2ES1G
Número de produto da DigiKey	488-NXH50C120L2C2ES1G-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NXH50C120L2C2ES1G
Descrição	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Módulo IGBT Inversor trifásico com freio 1200 V 50 A 20 mW Furo passante 26-DIP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de IGBT	-
Configuração	Inversor trifásico com freio
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	50 A
Potência - Máx.	20 mW
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic	2,4V a 15V, 50A
Corrente - Corte do coletor (máx.)	250 µA
Capacitância de entrada (Cies) para Vce	11.89 nF @ 20 V
Entrada	Retificador de ponte trifásico
Termistor NTC	Sim
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	Módulo PowerDIP-26 (1,199", 47,20mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	26-DIP
Número base de produto	NXH50