Name: NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST1D3N04CTXGTR-ND
Price: 2.7 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NVMJST1D3N04CTXG
Número de produto da DigiKey	488-NVMJST1D3N04CTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMJST1D3N04CTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMJST1D3N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMJST1D3N04CTXG
Descrição	TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 386A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície 10-TCPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	386A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,39mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 170µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4300 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	10-TCPAK
Pacote / Invólucro	10-PowerLSOP (largura 0,209", 5,30mm)
Número base de produto	NVMJST1D