Name: NVMFS6H858NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H858NLWFT1GTR-ND
Price: 1.43 USD
Availability: InStock

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NVMFS6H858NLWFT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFS6H858NLWFT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFS6H858NLWFT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFS6H858NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS6H858NLWFT1G
Descrição	MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	36 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 8,7A (Ta), 30A (Tc) 3,5W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 623 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,7A (Ta), 30A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 19,5mOhm a 5A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 30µA	Número base de produto NVMFS6