Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 1.47 USD
Availability: InStock

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NVMFS6H852NLWFT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS6H852NLWFT1G
Descrição	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta), 42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	13,1mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 45µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	906 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NVMFS6