Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 4.1 USD
Availability: InStock

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NTMTS001N06CTXG
Número de produto da DigiKey	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMTS001N06CTXG
Descrição	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 53,7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Montagem em superfície 8-DFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	53,7A (Ta), 376A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,91mOhm para 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	8705 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5W (Ta), 244W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFNW (8,3x8,4)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	NTMTS001