Name: FQB19N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB19N20LTMTR-ND
Price: 2.42 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FQB19N20LTM
Número de produto da DigiKey	FQB19N20LTMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB19N20LTMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB19N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB19N20LTM
Descrição	MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	7 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 21A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	140mOhm a 10,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	35 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2200 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FQB19N20