FDP047AN08A0-F102 onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDP047AN08A0-F102 está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Recomendado pelo fabricante

onsemi

Em estoque: 1.636

Preço unitário : $ 1,93000

Similar

IXYS

Em estoque: 234

Preço unitário : $ 8,29000

Similar

IXYS

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 2,84857

Similar

IXYS

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 4,99000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDP047AN08A0-F102
Número de produto da DigiKey	FDP047AN08A0-F102-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDP047AN08A0-F102
Descrição	MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 75 V 15A (Tc) 310W (Tc) Furo passante TO-220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDP047AN08A0-F102 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	75 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Vgs (máx.)	±20V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	310W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	FDP047