Name: FDMC2610
Brand: onsemi
SKU: FDMC2610TR-ND
Price: 3.19 USD
Availability: InStock

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FDMC2610
Número de produto da DigiKey	FDMC2610TR-ND - Fita e carretel (TR) FDMC2610CT-ND - Fita cortada (CT) FDMC2610DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDMC2610
Descrição	MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 2,2A (Ta), 9,5A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície 8-MLP (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	UniFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,2A (Ta), 9,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	200mOhm a 2,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	960 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-MLP (3,3x3,3)
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Número base de produto	FDMC26