2SJ652-1E onsemi | Produtos semicondutores discretos

2SJ652-1E está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Similar

onsemi

Em estoque: 3.692

Preço unitário : $ 4,25000

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 0,53365

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

2SJ652-1E
Número de produto da DigiKey	2SJ652-1EOS-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	2SJ652-1E
Descrição	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Furo passante TO-220F-3SG
Modelos EDA / CAD	2SJ652-1E Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	28A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	38mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4360 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220F-3SG
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	2SJ652