PXN2R8-100RLJ Nexperia USA Inc. | Produtos semicondutores discretos

Novo produto

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PXN2R8-100RLJ
Número de produto da DigiKey	1727-PXN2R8-100RLJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PXN2R8-100RLJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PXN2R8-100RLJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PXN2R8-100RLJ
Descrição	PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 184A (Ta) 181W (Ta) Montagem em superfície MLPAK56
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	PXN2R8-100RLJ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	184A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6325 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	181W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	MLPAK56
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8

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