
APTM100UM45DAG | |
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Número de produto da DigiKey | APTM100UM45DAG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | APTM100UM45DAG |
Descrição | MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1000 V 215A (Tc) 5000W (Tc) Montagem em chassis SP6 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | APTM100UM45DAG Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Granel | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 52mOhm a 107,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 30mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1602 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 42700 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 5000W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SP6 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 315,34000 | $ 315,34 |




