Name: IXTY1R6N50D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND
Price: 4.63 USD
Availability: InStock

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IXTY1R6N50D2-TRL
Número de produto da DigiKey	238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND - Fita e carretel (TR) 238-IXTY1R6N50D2-TRLCT-ND - Fita cortada (CT) 238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTY1R6N50D2-TRL
Descrição	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N, modo de depleção 500 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	Depletion
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N, modo de depleção
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,6A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3Ohm a 800mA, 0V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	645 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IXTY1