IXTY1R4N60P IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXTY1R4N60P
Número de produto da DigiKey	IXTY1R4N60P-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTY1R4N60P
Descrição	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 1,4A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	PolarHV™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9Ohm a 700mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,5V a 25µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	140 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IXTY1

IXTY1R4N60P