Name: IXFP8N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFP8N65X2-ND
Price: 1.81103 USD
Availability: OutOfStock

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IXFP8N65X2
Número de produto da DigiKey	IXFP8N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXFP8N65X2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Furo passante TO-220-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	HiPerFET™, Ultra X2
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	450mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	790 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IXFP8N65

IXFP8N65X2