Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1TR-ND
Price: 1.72 USD
Availability: InStock

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SPB18P06PGATMA1
Número de produto da DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPB18P06PGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	SIPMOS®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	130mOhm a 13,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	860 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	81,1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SPB18P06