IRF6617TRPBF Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IRF6617TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF6617TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF6617TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície ST DIRECTFET™
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Ta), 55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,1mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,35V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	ST DIRECTFET™
Pacote / Invólucro	ST isométrico DirectFET™
Número base de produto	IRF6617

IRF6617TRPBF