Name: IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 2.91 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Tempo de espera previsto do fabricante	39 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 48A (Ta), 348A (Tc) 2,5W (Ta), 130W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	48A (Ta), 348A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,64mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 370µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5200 pF @ 12 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-WHTFN-9-1
Pacote / Invólucro	9-PowerWDFN