Name: IQE008N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 2.82 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IQE008N03LM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE008N03LM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE008N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE008N03LM5ATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2,1W (Ta) 89W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-8-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE008N03LM5ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27A (Ta), 253A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,85mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5700 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta) 89W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-8-4
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	IQE008N