Equivalente paramétrico
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IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPW65R110CFDFKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-1 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 1,3mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 118 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3240 pF @ 100 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 277,8W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-1 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 110mOhm a 12,7A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | $ 7,01000 | Equivalente paramétrico |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | $ 9,19000 | Similar |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | $ 8,23000 | Similar |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | $ 8,65000 | Similar |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | $ 6,77000 | Similar |







