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SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHG33N65EF-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 28 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 31,6A (Tc) 313W (Tc) Furo passante TO-247AC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 171 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4026 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 313W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247AC |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 109mOhm a 16,5A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (8)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | $ 0,00000 | Similar |
| FCH104N60F | onsemi | 0 | FCH104N60F-ND | $ 8,37000 | Similar |
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 310 | IPW60R099CPAFKSA1-ND | $ 9,25000 | Similar |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | 30 | IXFR64N60Q3-ND | $ 41,90000 | Similar |
| IXTH34N65X2 | IXYS | 203 | IXTH34N65X2-ND | $ 9,11000 | Similar |
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 8,65000 | $ 8,65 |
| 25 | $ 5,15360 | $ 128,84 |
| 100 | $ 4,32050 | $ 432,05 |
| 500 | $ 3,65424 | $ 1.827,12 |
| 1.000 | $ 3,47625 | $ 3.476,25 |
