Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 7.26 USD
Availability: OutOfStock

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IPW65R099C6FKSA1
Número de produto da DigiKey	IPW65R099C6FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPW65R099C6FKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPW65R099C6FKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 12,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 1,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2780 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	278W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO247-3-1
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IPW65R099

IPW65R099C6FKSA1