
IPP60R190C6XKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPP60R190C6XKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPP60R190C6XKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Furo passante PG-TO220-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPP60R190C6XKSA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 630µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 63 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1400 pF @ 100 V |
Part Status Não para novos designs | Dissipação de potência (máx.) 151W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 190mOhm a 9,5A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 950 | 497-16348-5-ND | $ 4,80000 | Direct |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | $ 5,58000 | Similar |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | $ 5,28000 | Similar |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | $ 2,07746 | Similar |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | $ 3,04000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,46000 | $ 4,46 |
| 50 | $ 2,25080 | $ 112,54 |
| 100 | $ 2,03620 | $ 203,62 |
| 500 | $ 1,66020 | $ 830,10 |
| 1.000 | $ 1,53942 | $ 1.539,42 |
| 2.000 | $ 1,43789 | $ 2.875,78 |
| 5.000 | $ 1,32813 | $ 6.640,65 |



