IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPP530N15N3GXKSA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Recomendado pelo fabricante

Infineon Technologies

Em estoque: 990

Preço unitário : $ 3,06000

Similar

onsemi

Em estoque: 0

Preço unitário : $ 3,06000

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPP530N15N3GXKSA1
Número de produto da DigiKey	IPP530N15N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP530N15N3GXKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP530N15N3GXKSA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 35µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Tubo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 887 pF @ 75 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Furo passante
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 21A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-220-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Número base de produto IPP530
Rds on (máx.) para Id, Vgs 53mOhm a 18A, 10V