Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.34 USD
Availability: OutOfStock

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IPP086N10N3GXKSA1
Número de produto da DigiKey	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP086N10N3GXKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP086N10N3GXKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,6mOhm a 73A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 75µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3980 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP086

IPP086N10N3GXKSA1