Name: IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND
Price: 16.42 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Descrição	AUTOMOTIVE_COOLMOS
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	136A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	17mOhm a 61,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 3,08mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12338 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	694W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-22-1
Pacote / Invólucro	Módulo 22-PowerBSOP