Name: AIMBG120R020M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND
Price: 21.66 USD
Availability: InStock

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AIMBG120R020M1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-AIMBG120R020M1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AIMBG120R020M1XTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AIMBG120R020M1XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	104A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 43A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,1V a 15mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2667 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	468W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-12
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	AIMBG120